Gordon Moore, cofondatore di Intel Corporation ha dichiarato che "l'utilizzo di
materiali con proprietà high-k (in grado di ridurre la dispersione di corrente) e metallici segna il più grande cambiamento nella tecnologia dei transistor al pari dei cambiamenti avvenuti nel 1960". Si potrebbe pensare che questo possa bastare, ma Intel non sembra volersi fermare qui. L'azienda inoltre vanta il fatto che già da sei anni fa lavorava nei suoi laboratori su prove di esecuzione sul nuovo processore a 45nm.
Ad oggi produce i seguenti processori desktop della famiglia E8000:
E8200, E8400 e E 8500 e prevede di introdurre un nuovo membro della famiglia, l'E8190, la CPU avrà una frequenza di 2.66GHz, cache L2 di 6MB, e FSB di 1333MHz.
Il un prezzo sarà di US $163 su quantitativi di 1000 unità e sarà destinato al mercato OEM.
Gli atomi stavano finendo... (breve spiegazione sui processori)
Secondo la legge di Moore, la densità di transistor su circuiti integrati raddoppia ogni circa due anni - questa legge vale da ormai 40 anni.
Nel corso degli ultimi 15 anni circa, Intel ha utilizzato il biossido di silicio (SiO2) come porta dielettrica all'interno dei suoi transistor, ma i miglioramenti apportati nella tecnologia di processo hanno portato un assottigliamento delle pareti della porta dielettrica. Piccola spiegazione sulla porta dielettrica, essa è un isolante atto a prevenire perdite di corrente tra l'elettrodo, la fonte e di scarico (vedi grafico sottostante).
Sul processore a 65nm Intel aveva usato una porta dielettrica con pareti di 1,2 nanometri di spessore - che è equivalente a cinque strati atomici in tutto, se vogliamo essere precisi. Questo in sostanza significa gli ingegneri della Intel stanno progettando i processori su un livello quasi a struttura atomica, e stanno riducendo il biossido di silicio delle pareti della porta dielettrica e forse esaspereranno questo concetto in un futuro non molto lontano.
Ovviamente, questo ha alcune conseguenze potenzialmente molto gravi, poiché l'assottigliamento delle pareti della porta dielettrica, causa perdite (esponenziali) di incanalamento attraverso il biossido di silicio. Eccessive perdite di corrente provocano un aumento della potenza "persa" e del calore dissipato, qualcosa per cui il core Prescott è stato famoso. C'è la possibilità che si vada a finire verso un transistor che non si spegne e accende completamente, in altra parole è come se avessimo milioni di lampadine che non si spengono ed accendono, ma brillano e si offuscano ed in pratica sarebbe un potere inefficiente.
Da alcuni anni ormai l'Intel ha dei team di sviluppo che studiavanoo e cercavano di sviluppare una nuova generazione di transistor in modo che il chip gigante potrebbe continuare a guidare la tecnologia di chip in avanti ad un ritmo esponenziale. Qui è dove i materiali con proprietà high-k entrano in gioco, i processori Penryn.
Fonte:
www.cdrinfo.com
